暨南大学材料化学期末总复习 含有必考题目.ppt

第二个问题：峰有高低强弱之分？ 影响衍射强度的结构因子Fhkl 在X射线衍射分析中，一些面网虽然也符合布拉格方程，但在反射系统中其衍射强度为0，这种现象称为消光。 系统消光条件 空间格子类型 反射存在条件 反射消失条件 简单P 全部都存在 无 底心C h+k为偶数 h+k为奇数 体心Ⅰ h+k+l为偶数 h+k+l为奇数 面心F h、k、l全偶或全奇 h、k、l奇偶混杂 “消光规则” 可用来判断晶体格子类型和所属空间群。 三、鲍林法则 鲍林第一规则── 在离子晶体中，正离子周围形成一个负离子多面体，正负离子之间的距离取决于离子半径之和，正离子的配位数取决于正负离子半径比。 鲍林第二规则——在离子的堆积结构中必须保持局域的电中性。 鲍林第三规则——稳定结构倾向于共顶连接 鲍林第四规则──若晶体结构中含有一种以上的正离子，则高电价、低配位的多面体之间有尽可能彼此互不连接的趋势 鲍林第五规则──同一结构中倾向于较少的组分差异，也就是说，晶体中配位多面体类型倾向于最少。 正负离子半径比 配位数 堆积结构 0.155 2 0.155～0.225 3 0.225～0.414 4 0.414～0.732 6 0.732～1.000 8 ~1.000 12 * 正负离子半径比与配位数及负离子堆积结构的关系 1. PN结加正向电压时的导电情况 外电场方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。 扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响。PN结呈现低阻性。 P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏； 内 外 四、PN结的单向导电性 此时，电子将源源不断的从N区扩散到P区，空穴则从P区扩散到N区。 2. PN结加反向电压时的导电情况 外电场与PN结内电场方向相同，增强内电场。内电场对多子扩散运动阻碍增强，扩散电流大大减小。少子在内电场的作用下形成的漂移电流加大。此时PN结区少子漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流。 PN结变宽 PN结呈现高阻性 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏； 内 外 PN结的单向导电性 N区中空穴（少子）一旦达到空间电荷区边界，就要被电场拉向P区，构成PN节的反向电流，电流值会很小，方向是由N区流向P区。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散 电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 铁电体 热释电体 压电体 介电体 五、介电、压电、热释电和铁电材料，依次为后者属于前者的关系，共性是在外力作用下产生极化。 五、综合分析 1、给你一张某材料的XRD图谱、TEM或SEM，你能从中得出什么信息？或是判断题目给出的说法是否正确？ 2、欲制备某种材料（特定形貌），溶胶-凝胶法、水热法、CVD、静电纺丝法，你选哪种？拟定初步的技术路线。（制备-表征-性能测试） 实际样品中二次电子的激发过程示意图 凸出的尖棱，小粒子以及比较陡的斜面处SE产额较多，在荧光屏上这部分的亮度较大 平面上的SE产额较小，亮度较低。 在深的凹槽底部尽管能产生较多二次电子，但其不易被探测到，因此相应衬度也较暗。　 SEM 背散射电子图像上的亮区在相应的吸收电子图像上必定是暗区 铁素体基体球墨铸铁拉伸断口的背散射电子像和吸收电子像 (a)背散射电子像，黑色团状物为石墨相； (b)吸收电子像，白色团状物为石墨相 SEM （2014已考） * * 一、名词解释 例如：弗仑克尔缺陷（2014已考）？ 例如：如右图所示，是Cu2O晶体结构，图中黑圆 为铜离子，空心圆为氧离子。请写出离子的坐标位。 O Cu 二、填 空 （2014已考） 请标出立方晶系中晶向A、B的晶向指数及晶面P的 晶面指数。 晶向A 【111】 , B 【122】 ; 晶面P (632) 。 根据离子半径比推测晶体离子的配位数和晶体结构形式。 晶体类型 离子半径比（R+/R-） 正离子配位数 晶体结构形式 CsBr 0.852 正负离子半径比 配位数 堆积结构 0.155 2 0.155～0.225 3 0.225～0.414 4 0.414～0.732 6 0.732～1.000 8 ~1.