GaN基白光发光二极管失效机理分析.pdfVIP

59 7 20 10 7 第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 Vol . 59 ，No . 7 ，July ，20 10 1000 -3290 / 20 10 / 59 (07 )/5002-08 ACTA PHYSICA SINICA 20 10 Chin . Phys. Soc . * GaN 基白光发光二极管失效机理分析 薛正群1) 黄生荣2 ) 张保平1)3 ) 陈 朝1)3 ) 1)( ， 36 1005 ) 厦门大学物理系 厦门 2 )( ， 36 1005 ) 厦门三安电子有限公司 厦门 3 )( ， 36 1005 ) 福建省半导体照明中心 厦门 (2009 10 13 ;2009 11 25 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 GaN (LED) 、40 ℃ 70 ℃ ， 对小功率白光 基发光二极管 在室温 和 下进行温度加速老化寿命实验 通过对老化前 、 ， 后不同时间段器件的电学 光学和热学特性进行测量来分析器件的失效机理 着重分析器件的芯片和荧光粉的失 . I -V : ， ， 效机理 器件老化前后的 特性表明 老化过程中 器件的串联电阻和低正向偏压下的隧道电流增大 这是由于器 . : 件工作时其芯片的欧姆接触退化和半导体材料的缺陷密度升高而引起的 器件的热特性表明 高温度应力下器件 ， ， ; ， 的热阻迅速变大 封装材料迅速退化 这是器件退化的主要原因 光谱曲线表明温度加速了器件的光功率衰减 并 . ， GaN 使荧光粉的转换效率迅速降低 最后使用阿伦尼斯方程对室温下器件的预测寿命进行了计算 并分析了 基白 光 LED 的失效机理. : ， ，GaN ， LED 关键词 加速老化 失效机理 白光 PACC :7280 E ，8 170 C LED ， LED