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有色金属材料研究新进展(下) 石力开 ’ (北京有色金属研究总院，北京100088) 3国内研究开发现状 在有色金属功能材料方面也取得了显著进步。稀土储 3．1有色金属生产现状 氢合金材料的研究、生产和应用取得了很大进展，目前产量 我国有色金属工业经过50多年的建成设，特别是近 达到1万t以上，超过日本居全球第一位。2004年镍氢电 20年的快速发展，10种常用有色金属的产量2002年达到池的产量和出口量已超过日本。 1012万t，超过了美国当年的产量，跃居世界第一。2003年 锂离子电池的关键材料钴酸锂已大量生产，还开发出 中国有色金属的产量达到1228万t，2004年10种常用有 新型正极材料。2003年我国成为锂离子电池的世界第二大 色金属总产量达到1397．85万t，同比增长了17．53％。2005 生产国[8】。我国的镍氢动力电池和锂离子动力电池的性能 年我国10种有色金属产量达到1631．84万t，比上年增加 18．14％，产量连续四年位居世界第一。其中，铜产量达到 有了明显进步，有力地支持了我国的纯电动汽车和混合动 258万t，电解铝产量达到780万t。 力汽车的研发。 我国有色金属材料在经过近20年的努力，常规有色金 我国稀土永磁钕铁硼的产量已超过日本，居世界首位。 属材料无论是质量还是品种已能基本满足国民经济发展的 2003年产量达到3万t，占世界总产量的一半以上。近年 需要，有的产品已大量出口，进入国际市场。但是一些我国 来，我国在钕铁硼合金薄片铸锭技术研究上取得了显著进 资源比较丰富的重要有色金属(如稀土、钛、镁、钨、钼、镓、 展。通过采用新的制备技术，钕铁硼产品的性能也有了很大 锢、锗、铋等)目前仍以初级矿产品或初级冶炼产品出口。而 提高，部分产品的磁能积已达到50MGOe以上。 那些现代高技术产业或国防军工所需的高、精尖产品，在技 在半导体照明方面，我国于2003年6月启动了国家半 术上尚未过关，还需进口。 导体照明工程，目前已取得了显著进展：在硅基片上外延生 我国有色金属的消费量也在急剧上升。铅、铝、锌、镍、 长GaN的技术有突破，芯片已可以达到5mW；功率型芯片的 发光功率达到130mW，接近国际产业化水平150mW；功率型 锡6种主要有色金属消费量从1980年的136万t，增加到 2004年的1342万t，成为全球第一消费大国。虽然总的消 费量很大，但是人均消费量仍远低于世界平均水平。 产芯片已占到国内市场20％的份额。预计2005年国产外延 3．2有色金属材料研究开发现状 片、芯片将占领30％的国内市场。 我国近年来在有色金属新材料、传统材料的改进及材 料的生产技术方面都取得了很大进展，基本上满足了国防 4研究开发主要问题 · 建设、国民经济和高技术产业发的需求。 ． 4．1资源严重不足 在高性能铝合金方面，研制的部分高强高韧铝合金达 我国有色金属资源总量较大，但人均资源量偏低，可供 到国际水平，用喷射沉积方法制备的高强高韧铝合金的强 开发利用的资源短缺。稀土、钛、钨、钼等有较大的资源优 度达到800MPa。我国的高压阳极电容器铝箔，性能已超过 势，储量居世界前列，但占有色金属产量94％的铜、铝、铅、锌 了日本同类产品，进入了批量生产。高速列车和地铁车辆用 等常用金属的储量严重不足。 大型铝合金型材已