新型纳米器件——共振隧穿二极管地研究.pdfVIP

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2017-08-14 发布于安徽
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新型纳米器件——共振隧穿二极管地研究.pdf

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2001年增刊压电与声光 319 19-03 文章编号：1004-2474(2001)S0-03 新型纳米器件——共振隧穿二极管的研究郭维廉，牛萍娟，梁惠来，张世林，赵振波 (天津大学电子信息工程学院，天津300072) 摘要；共振隧穿二极管(ResonantTunneling nlode)是一种基于量子隧穿现象的新型纳米器件．文章采用分子制电流潭建立起电路模型，并以此为基础模拟出了以RTD为驱动器，以电阻本身为负载的电路双稳态特性．为了分析其交流特性，使用微波探针和HP8510C网络分析仪在45MHz到26．5GHz的频率范围内对管芯进行了在片剥试， 6．5 结果显示其最高振荡频率为2 GHz，并通过拟合的方法提取了其等效电路参数．关键词；共振隧穿二极管；量子隧穿；分子束外延． 2．2 中图分类号：TN31 文献标识码：A ≮ onNovel Study Nano—device：ResonantDiode Tunneling GUO Zhen-bo Wei-lian，NIUPing-juan，LIANGHui·lai,ZHANGShi-lin，ZHAO ofElectronicInformation (School Eng．，Tia咖inunlversl饥Tianjin300072，China) Abstract：Resonantdiodeisakind ofnoveldevicebasedon mechanism．Weand tunneling quantumtransport designed fabricated AIAs／GaAs／InGaAs／GaAs／AIAsresonant diodewithtwo of structures tunneling epitaxial by types grown MolecularBeam ofRTD’S differentialresistance andits Epitaxy(MBE)forstudy negative fNDR)characterizations digital＆ microwave Thedevices haveshownexcellent卜rcharacteristicswith currentratiorPVCR、5t at applications peak-valley room anda current RF and HP on-wafer temperaturehigh cascade 8510Cnetwork p