半导体课后习题答案1-8.pdfVIP

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半导体课后习题答案1-8.pdf

第一章 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近 能量E (k)分别为 v 2 2 2 2 2 2 2 2 h k h (k −k ) h k1 3h k E (k)= + 1 E (k)= - c v 3m m 6m m 0 0 0 0 m 为电子有效质量,k =1/2a ,a=0.314nm 。试求: 0 1 (1) 禁带宽度; (2 ) 导带底电子有效质量; (3 ) 价带顶电子有效质量; (4 ) 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 解:(1) 分别求出导带底与价带顶的极值,然后计算禁带宽度Eg dE (K ) 2 2h2 (k −k ) 2h k 由 C =0 得 + 1 =0 k=3k1/4 dk 3m m 0 0 d 2 E (K ) 2 2 h k 因为 C 0 ( k=3k /4 时) 所以E = 1 1 C min dk 2 4m 0 dEv(K ) 2 6h k 由 =0 得 - =0 k=0 dk m 0 2 2 2 d Ev (K ) h k 因为 2 0 (k=0 时)

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