准单分散二氧化硅微球的微波溶剂热合成.docVIP

准单分散二氧化硅微球的微波溶剂热合成 随着市场对短波长发光器件需求的增大，人们越来越关注宽禁带半导体发光材料的应用。二氧化硅是一种性能优异的n型半导体材料，具有较宽的带隙和独特的光学、光电学及气敏特性，被广泛地应用于太阳能电池、气敏元件、透明导电膜、储锂材料等领域。迄今为止，二氧化硅纳米结构如纳米带、纳米线、纳米棒、纳米管和自组装微球等已有文献报道。赵娜等以SnCl4·5H2O和乙二胺为原料，采用溶剂热法合成出40nm的二氧化硅纳米粒子，并在340nm处观测到强的紫外激子发射峰。Zhang等以SnCl4·5H2O和NaOH为原料，采用微波溶剂热法制备出了由纳米晶自组装形成的二氧化硅纳米球，粒径在200~400nm，且分散性较好。 现有研究以结晶四氯化锡、尿素为原料，四氢呋喃、无水乙醇、去离子水为混合溶剂，聚乙二醇为模板剂，采用微波溶剂热法快速合成了具有均一形貌的二氧化硅微球。实验研究了反应温度和PEG添加量对产物微观形貌的影响，并对其光致发光性能进行了探讨。 采用微波溶剂热法，在反应温度为180℃、PEG-6000添加量为0.12mmol的条件下合成了形貌规则、准单分散的二氧化硅微球。二氧化硅微球是由大量细小晶粒堆积而成的，晶粒尺寸约9.3nm；微球表面致密光滑,煅烧前后直径未发生明显变化。FT-IR图谱中550cm-1处吸收峰应为表面结构改变引起的表面振动模式；产物在400℃煅烧后即可脱除大部分残留有机物和表面吸附水。反应温度和PEG添加量是合成单分散氧化锡微球的关键控制因素；PL谱表明煅烧前二氧化硅微球在320-450nm处具有宽而强的发射带，但煅烧后发射带强度大幅下降,说明产物的晶格缺陷对近带边发射有重要影响。 Ti-5Al-5V-5Mo-3Cr-0.5Fe（Ti-5553）合金是以VT22（Ti-5.7Al-5.1V-4.8Mo-1Cr-1Fe）为基础的新型近-β钛合金，自上世纪90年代以来业已受到宇航工业的特别关注。与Ti-1023合金相比，Ti-5553合金具有对偏析不太敏感，淬透性好，强度优异和断裂韧性较高等优点，特别适合制造必须承受巨大应力的零部件，例如结构件和起落架。合金优良的淬透性和对成形变化的弱敏感性使它成为取代Ti-1023和Ti-6Al-4V合金的候选合金，该合金已成功应用于波音787和空客A350飞机的起落架等承力部件。 科研人员对经固溶时效Ti-5553合金的周期变形响应进行了系统研究。在α-β温度区域821℃固溶热处理3小时，风扇冷却；在621℃时效6小时，空冷。研究结果如下： Ti-5553合金周期变形响应是变化的，它与施加的应变振幅有关。低应变时，循环早期材料表现出中等硬化特性，但没有明显的塑性应变；高应变时，从开始至最终断裂，合金表现出周期软化特点。 在Ti-5553合金中，α和β两相之间强度的明显差异引起变形不均匀，发现韧性αp颗粒在周期塑性应变中起到主要作用。但是，由于不同取向和不同基体包围，在相同负载条件下，在同一试样中不同的αp颗粒会变形至不同的应变水平。当应变足够高时，转变β基体，尤其是αs沉淀也参与塑性变形。 发现位错活动包括复滑移系的激活和初始αp相中原位错的消失在整个周期变形过程中起到非常重要的作用。