变压器试验技术介绍.ppt

绕组直流电阻与出厂试验时相比，可能发生两种变化：一种是向坏的方向变化，另一种是向好的方向发展。 向好的方向发展主要是发生在低压绕组上，原因是这种变压器低压引线接头的接触电阻对于低压绕组本身的直流电阻不再是可以忽略不计。在工厂装配时可能做了临时性的连接，由于操作原因导致接触电阻的数值和分散性都较大；而在安装时彻底清理接触面，并控制压紧力后使得接触电阻变得可以忽略，最终使直流电阻有所改善。 向坏的方向发展主要是由于测量方法问题引起的。当然也有可能由分解开关没有到位，或者螺栓联接接头的接触不良。 * 2 .测试方法 （1）西林电桥简介 * 三 .介质损耗因数测量 介损的测量一般都是通过西林电桥测量的，西林电桥（图5）是一种交流电桥，配以合适的标准电容，可以在高压下测量材料和设备的电容值和介质损耗角。西林电桥有四个臂，两个高压臂：一个代表被试品的ZX,一个代表无损耗标准电容Cn，两个低压臂处在桥体体内，一个是可调无感电阻R3，另一个是无感电阻R4和可调电容C4的并联回路。调节R3、 C4，使检流计G的电流为零。则可计算如下： 设被试品阻抗Zx为Z1；Cn为Z2；R3为Z3；R4并联C4为Z4。 计算为： 图5、西林电桥 按复数相等的定义：虚部、实部分别相等。则： 通过ZX的串、并联的等效变换，无论串联还是并联，介损都为： ［试验］ 介质损耗因数测量的技术方法 （2）西林电桥的应用 西林电桥在实际测量中得到广泛的应用，根据西林电桥的特点，它用于变压器、电机、互感器等高压设备的tanδ以及电容量的测量。西林电桥有正接法和反接法两种，正接法（图6）适用于两端绝缘的产品，在变压器tanδ测量中，套管介损采用此方法；反接法（图7）适用于一端接地的产品，变压器tanδ测量中，绕组介损测量采用此方法。其中在正接法中，电压加在被试品上，电桥上电压相对较低，使用安全；反接法中，电压加在电桥上的，对操作人员有一定的危险性。 随着技术的不断进步，现在tanδ的测量是通过单板机和一系列电子设备，将矢量电流通过自动模/数转换，求出介质损耗角和电容量，方便快捷且精度高。 * 三 .介质损耗因数测量 图6、西林电桥正接法 图7、西林电桥反接法 ［试验］ 介质损耗因数测量的技术方法 2 .测试方法 * 三 .介质损耗因数测量 一般的，当绝缘介质优良时，试验电压即使升到很高， tanδ值也基本上没有变化。但是，当绝缘介质工艺不好、绝缘中残留气泡或绝缘老化时，电压升高，试验电压超过局部放电起始电压时，绝缘介质中发生局部放电， tanδ值会迅速增大。所以，为了能有效的验证变压器的绝缘水平，对试验电压有一定的要求： a、额定电压为6KV及一下的试品，取额定电压； b、额定电压为10~35KV的试品，取10KV； c、额定电压为63KV及以上的试品，取10KV或者大于10KV，但不超过绕组线端较低 电压的60%。CTC产品的试验电压一般取10KV。 表1、变压器介损的测量部位 序列号 双线圈变压器 三线圈变压器 被测线圈 接地部分 被测线圈 接地部分 1 低压 高压、外壳 低压 高压、中压、外壳 2 高压 低压、外壳 中压 高压、低压、外壳 3 高压 中压、低压、外壳 4 高压、低压 外壳 高压、中压 低压、外壳 5 高压、中压、低压 外壳 6 其他特别指示部分 其他特别指示部分 ［试验］ 介质损耗因数测量的技术方法 3 .介损的影响因数 * 三 .介质损耗因数测量 1、电压特性 (1)tanδ与施加的电压的关系决定了绝缘介质的性能、绝缘介质工艺处理的好坏和产品结构。当绝缘介质工艺处理良好时，外施电压与tanδ之间的关系近似一条水平直线，且施加电压上升和下降时测得的tanδ值是基本重合的。当施加电压达到某一极限值时，tanδ曲线才开始向上弯曲，见图13曲线1。 (2)如果绝缘介质工艺不好、绝缘中残留气泡等，tanδ比良好时要大，而且会在电压比较低时而向上弯曲，施加电压上升和下降时测得的tanδ值不会重合，见图13曲线2。 (3)当绝缘老化时，tanδ反而比良好时要小，但tanδ曲线在较低的电压下向上弯曲，见图13曲线3 ；老化的的介质容易吸潮，一旦吸潮，tanδ随电压迅速增加，且施加电压上升和下降时测得的tanδ值是不会重合，见图13曲线4。 2、温度特性 tanδ测量通常在10~40 ℃下进行，其值随温度上升而增加， 其与温度的关系： 图13、绝缘介质tanδ的电压特性 同样的，应对上述关系式或其他一些换算系数采取谨慎使用的态度。 ［试验］ 介质损耗因数测量的技术方法 4.测试注意点 试验电源频率应为产品的额定频率，其偏差应不大于±5%。试验